プラズマCVD プラズマCVDの特徴や成膜データについてご紹介します。

弊社では、イオンプレーティング方式に加えP-CVD(Plasma-Chemical Vapor Deposition)法によるコーティングサービスも始めました。CVD法による利点を生かし、PVD法より付まわりのよい膜形成が可能です。

現在P-CVD法での対応膜種は、DLC(Diamond-Like Carbon)、SiO2、SiONの3膜種とさせていただいております。またチャンバー(真空窯)内の異種異物による汚染防止のため、基板(膜付け対象物)の材質を限らせていただいております。一度ご相談下さい。

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プラズマCVD基本プロセス

当社のP-CVD法における基本プロセスを右図に記します。
簡単にご説明いたしますと、プロセスは以下の通りです。

  • チャンバーに膜付け対象物をセット
  • チャンバー内を真空排気
    減圧によるP-CVD法
  • 一定の真空度に達したらプロセスガスを導入
    プロセスガスは目的とする膜成分を含むもの
  • RFプラズマ源をONにしプラズマを生じさせる
    励起源にRF(工業用高周波13.56MHz)使用
  • プラズマによりガスの原子や分子が励起され活性となる
  • 励起された原子や分子が基板に到達し薄膜を形成する

プラズマCVD基本プロセス簡易イメージ

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CVD装置スペック

基板情報

最大搭載可能サイズφ12インチ×t20mm
対応可能基板Si Wafer,各種ガラス基板
Al系基板(Al2O3,AlN)
Si系基板(SiC等)
対応不可基板SUS系、他金属混合物系

※大変申し訳ございませんが、半導体基板対応とするため膜付けするチャンバー内の汚染を考慮して、搭載する基板に制限をさせていただいております。お手数をおかけ致しますが、ご対応可能かお問い合わせ下さい。

CVD装置外観
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CVD法での形成薄膜性能

プラズマCVDにて形成した薄膜の性能評価事例です。ご参考にして下さい。

評価項目DLCSiO2SiON
可能膜厚0.1~1.0 μm0.1~3.0 μm0.1~3.0 μm
密着強度ピールテストで剥れ無き事ピールテストで剥れ無き事ピールテストで剥れ無き事
屈折率-1.46-
動摩擦係数0.094--
膜応力1.094--
体積抵抗(100V印加)2.4E+14 Ω・cm1.2E+13 Ω・cm2.2E+12 Ω・cm
表面抵抗(100V印加)-2.8E+11 Ω/□4.2E+09 Ω/□

ピンオンディスク摩擦摩耗試験機によるDLC膜摩擦摩耗試験データ

DLC膜摩擦摩耗試験データグラフ

摩擦係数F-μP F:摩擦力 μ:摩擦係数 P:荷重

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