スパッタリング

弊社では、イオンプレーティング方式に加えスパッタ法によるコーティングサービスも始めました。
スパッタ法での高エネルギーを利用してTi系反応膜の形成を行っております。

現在スパッタ法での対応膜種は、Ti、TiN、TiCの３膜種とさせていただいております。
またチャンバー（真空窯）内の異種異物による汚染防止のため、基板（膜付け対象物）の材質を限らせていただいております。一度ご相談下さい。

当社のスパッタリング法における基本プロセスを右図に記します。
簡単にご説明いたしますと、プロセスは以下の通りです。

スパッタリング基本プロセス

最大搭載可能サイズ	φ12インチ×ｔ50mm
対応可能基板	Si Wafer，各種ガラス基板 Al系基板（Al₂O₃,AlN） Si系基板（SiC等）
対応不可基板	SUS系、他金属混合物系

※大変申し訳ございませんが、半導体基板対応とするため膜付けするチャンバー内の汚染を考慮して、搭載する基板に制限をさせていただいております。お手数をおかけ致しますが、ご対応可能かお問い合わせ下さい。

スパッタリングにて形成した薄膜の性能評価事例です。イオンプレーティングにて形成した膜との比較も掲載してあります。ご参考にして下さい。

評価項目	Ti	TiN	TiC
可能膜厚	0.05～5.0 μｍ	0.05～5.0 μｍ	0.05～5.0 μｍ
密着強度	ピールテストで剥れ無き事	ピールテストで剥れ無き事	ピールテストで剥れ無き事

成膜位置	実測値	戻り値	膜応力
イオンプレーティング		246.5μｍ	1.42E+08Pa
スパッタリング		91.138μｍ	-5.69E+07Pa

イオンプレーティング法では引っ張り応力が生じています。これに対してスパッタ法では圧縮応力が生じています。この差は膜に成長したときに残る在留応力によるものです。この応力も条件によって緩和したり、逆方向の応力とすることもできます。

成膜位置	実測値	初期摩擦係数(μs)	動摩擦係数(μk)
イオンプレーティング		0.265	0.213
スパッタリング		0.198	0.151

イオンプレーティング法でに比べ、スパッタ法での膜のほうが静止摩擦係数、動摩擦係数ともに低くなっているのが確認できます。膜付け条件が全く同じではありませんが、成膜方法や条件により変化します。

成膜方法	比抵抗
イオンプレーティング	1.07E-05Ω・cm
スパッタリング	1.37E-05Ω・cm

上記特性が異なるのに対し、比抵抗はほぼ同じ値となります。膜厚が厚いこともありその影響は小さくなっています。